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晶体管
SIHG25N40D-E3参考图片

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SIHG25N40D-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存：3,271(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.6568
28.6568
10
¥23.7413
237.413
100
¥19.5942
1959.42
250
¥18.984
4746
500
¥16.9839
8491.95
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
D
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHG25N40D-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BS870-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V 310mW
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:6178
BC847BLP4-7B
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,500:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:7424
BC856S,125
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 65 V, 100 mA PNP/PNP General Purpose Tran
1:¥2.6103
10:¥1.695
100:¥0.72998
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.42262
参考库存:13808
APT20M38SVRG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥150.9115
5:¥145.0016
10:¥139.5437
25:¥128.2437
参考库存:2042
ZXTN25020DFLTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V HG Tran.
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:6842
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