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晶体管
SIA429DJT-T1-GE3参考图片

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SIA429DJT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.7798
277.98
500
¥2.2939
1146.95
1,000
¥1.7628
1762.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
20.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
62 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.5 W
配置
Single
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIA
商标
Vishay / Siliconix
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SIA429DJT-GE3
商品其它信息
优势价格，SIA429DJT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC5866TLQ
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V 2A
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥1.6611
1,000:¥1.243
3,000:¥1.1526
参考库存:6859
KSD880YTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥5.4579
10:¥4.4974
100:¥2.8928
1,000:¥2.3165
参考库存:4424
IRLIZ14GPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥13.3679
10:¥11.1418
100:¥8.6106
500:¥7.5258
1,000:¥6.2263
参考库存:2348
BFU710F,115
NXP Semiconductors
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5594
参考库存:5303
NST3904DXV6T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Switching NPN
1:¥3.2318
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
8,000:¥0.45313
24,000:查看
参考库存:12093
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