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晶体管
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2DD2656-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VSAT NPN SMT 3K
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数量单价合计
1
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2.6103
10
¥1.6724
16.724
100
¥0.71416
71.416
1,000
¥0.5537
553.7
3,000
¥0.41471
1244.13
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
350 mV
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
270 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DD2
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 100 mA, 2 V
高度
1 mm
长度
2.15 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 100 mA, 2 V
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,2DD2656-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 80V 50W PNP
1:¥6.5314
10:¥5.5709
100:¥4.2827
500:¥3.7855
1,000:¥2.9945
参考库存:5369
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A
1:¥1.4577
10:¥1.3108
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:67093
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
1:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3111
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
3,000:¥4.9607
参考库存:12303
晶体管
MOSFET 200V NChannel UniFET
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1472
500:¥5.4353
1,000:¥4.2827
2,500:¥4.0906
参考库存:5306
晶体管
MOSFET TRNSISTR DUAL MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
8,000:¥0.86106
24,000:查看
参考库存:16071
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