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晶体管
FMMT6520TA参考图片

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FMMT6520TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Voltage
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.2148
22.148
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.89948
899.48
3,000
¥0.77631
2328.93
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
集电极—基极电压 VCBO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 1 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FMMT65
直流电流增益 hFE 最大值
20 at 1 mA, 10 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20 at 1 mA, 10 V, 30 at 10 mA, 10 V, 30 at 30 mA, 10 V, 20 at 50 mA, 10 V, 15 at 100 mA, 10 V
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，FMMT6520TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB80N04S4L-04
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5314
500:¥5.7743
1,000:¥4.5539
参考库存:2779
IPB120N04S4-02
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1:¥16.5997
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:2659
IRFS31N20DTRLP
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC
1:¥16.9048
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
800:¥8.2942
参考库存:2023
IPP45N06S4L08AKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6331
500:¥5.8647
参考库存:2491
BSS169 H6906
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
1:¥4.8364
10:¥4.068
100:¥2.6216
1,000:¥2.1018
3,000:¥2.1018
参考库存:10472
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