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晶体管
ZXTN04120HFFTA参考图片

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ZXTN04120HFFTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN 120V DARLINGTON TRANSISTR
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
3,000
¥1.4577
4373.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
最大直流电集电极电流
1 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN04
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
3000
高度
1 mm
长度
3 mm
宽度
1.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
3000 at 50 mA at 5 V, 3000 at 500 mA at 5 V, 3000 at 1 A at 5 V, 1000 at 2 A at 5 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N5151L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥127.8595
250:¥116.5708
500:¥109.0337
参考库存:39114
BSM100GD120DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE
10:¥1,810.2713
30:¥1,784.9141
参考库存:39117
RM150N60HD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D2-PAK MOSFET
1,600:¥6.328
2,400:¥5.4353
4,800:¥4.9607
9,600:¥4.5313
参考库存:39120
MV2N4860UB
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥741.4269
参考库存:39123
2N3637UB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥105.429
200:¥96.1291
500:¥89.9819
1,000:¥82.5239
参考库存:39126
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