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晶体管
BD680参考图片

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BD680

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 DARLINGTON TRAN
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库存:5,435(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.4014
54.014
100
¥4.1471
414.71
500
¥3.6612
1830.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
200 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-32
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD680
高度
10.8 mm
长度
7.8 mm
宽度
2.7 mm
商标
STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,BD680的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥8.8366
10:¥7.571
100:¥5.8082
500:¥5.1415
1,000:¥4.0567
5,000:¥4.0567
参考库存:8228
晶体管
MOSFET 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.5995
10:¥10.4525
100:¥8.1473
500:¥7.1303
1,000:¥5.9099
3,000:¥5.5031
参考库存:3294
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 450A
1:¥1,805.1976
5:¥1,761.783
10:¥1,718.0633
25:¥1,693.9378
参考库存:3282
晶体管
MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode
1:¥3.2996
10:¥2.7572
100:¥1.6837
1,000:¥1.2995
3,000:¥1.10627
参考库存:15254
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
1:¥56.7825
10:¥51.0986
50:¥46.5673
100:¥42.036
250:¥38.5782
参考库存:3281
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