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晶体管
BSS123W-7-F参考图片

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BSS123W-7-F

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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.3278
23.278
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
170 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW (1/5 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS123W
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
0.08 S, 0.37 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,BSS123W-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN Pwr Darlington
1:¥11.6842
10:¥9.5259
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10:¥4.0454
100:¥2.6103
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1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.599
1,000:¥2.0792
4,000:¥2.0792
参考库存:5273
晶体管
MOSFET N-CHANNEL MOSFET
1:¥3.5369
10:¥3.1866
100:¥1.7854
1,000:¥0.65314
3,000:¥0.5763
参考库存:9920
晶体管
MOSFET N-Channel
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:7927
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