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晶体管
BSR202N L6327参考图片

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BSR202N L6327

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库存:4,565(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7911
27.911
100
¥1.7063
170.63
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.12209
3366.27
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SC-59
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSR202
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
3.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
零件号别名
BSR202NL6327HTSA1 BSR22NL6327XT SP000257784
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSR202N L6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR120PBF
1:¥24.3628
10:¥20.2044
100:¥16.5997
250:¥16.1364
参考库存:43033
晶体管
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.4525
500:¥9.1417
参考库存:43036
晶体管
MOSFET POWER MOSFET SERIES
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8591
参考库存:43039
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET N/PCH 30V 3.5A/3A 8PIN
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.0397
1,000:¥2.4408
3,000:¥2.0566
参考库存:43042
晶体管
MOSFET 600V 30mA N-Channel Depletion Mode
1:¥4.5313
10:¥3.616
100:¥2.4521
500:¥1.6837
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:15192
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