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晶体管
DDTC113TUA-7-F参考图片

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DDTC113TUA-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
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库存:13,459(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.8419
1.8419
10
¥1.243
12.43
100
¥0.52206
52.206
1,000
¥0.35369
353.69
3,000
¥0.27685
830.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
1 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTC113
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
600
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
高度
1 mm
长度
2.2 mm
类型
NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DDTC113TUA-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
3,000:¥10.5316
参考库存:9426
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GENERAL PURPOSE
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:568199
晶体管
IGBT 晶体管 FSII 40A 1200V Welding
1:¥35.5724
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:1842
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 400V 100MA
1:¥6.1472
10:¥5.0737
100:¥3.277
1,000:¥2.6216
2,000:¥2.2148
参考库存:1981
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 30V 0.1A
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:10636
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