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晶体管
SIA907EDJT-T1-GE3参考图片

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SIA907EDJT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.181
41.81
100
¥3.1301
313.01
500
¥2.2939
1146.95
3,000
¥1.5707
4712.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
47 mOhms, 47 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
23 nC, 23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
7.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIA
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S, 11 S
下降时间
10 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
13 ns, 13 ns
零件号别名
SIA907EDJT-GE3
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,SIA907EDJT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 20W NPN
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
1,800:¥1.9775
参考库存:5779
晶体管
达林顿晶体管 Darlington
1:¥5.763
10:¥4.8364
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
参考库存:28543
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 160V 200mW
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:55227
晶体管
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
1:¥7.0738
10:¥5.989
100:¥4.6104
500:¥4.0793
2,500:¥2.8589
10,000:查看
参考库存:6781
晶体管
JFET 25V 10mA
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
9,000:¥0.87575
参考库存:13835
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