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晶体管
DMN53D0LW-7参考图片

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DMN53D0LW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
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数量单价合计
1
¥2.0001
2.0001
10
¥1.3786
13.786
100
¥0.5763
57.63
1,000
¥0.40002
400.02
3,000
¥0.30736
922.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
360 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
420 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN53
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.9 ns
典型接通延迟时间
2.7 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN53D0LW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
2,500:¥4.1923
10,000:查看
参考库存:4621
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
1,000:¥9.9101
参考库存:2486
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4862
500:¥5.7291
1,000:¥4.5313
3,000:¥4.5313
参考库存:4878
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30Vcbo 30Vceo 7.0Vebo 50mA 625mW
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.8306
1,000:¥1.3673
参考库存:9314
晶体管
MOSFET
1:¥23.7413
10:¥20.1366
100:¥17.4472
250:¥16.5997
2,000:¥11.9102
4,000:查看
参考库存:3655
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