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晶体管
BSC057N03MS G参考图片

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BSC057N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3M
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库存:12,257(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.0963
50.963
100
¥3.2883
328.83
1,000
¥2.6329
2632.9
5,000
¥2.6329
13164.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
5.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
BSC057N03MSGATMA1 BSC57N3MSGXT SP000311513
商品其它信息
优势价格,BSC057N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 500MA
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:4744
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
1:¥224.2937
5:¥214.2254
10:¥207.5471
25:¥190.7214
参考库存:1029
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.6894
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
3,000:¥0.42262
参考库存:4212
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥124.2548
10:¥112.9548
25:¥104.4233
50:¥98.8185
参考库存:1038
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K 47K
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:2570
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