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晶体管
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BCX56TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
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库存:14,182(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.1809
21.809
100
¥1.00683
100.683
1,000
¥0.7684
768.4
2,000
¥0.66105
1322.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCX56
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20v N ch MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.5312
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:28025
晶体管
IGBT 晶体管 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
1:¥43.4937
10:¥36.9623
100:¥32.0468
250:¥30.4309
参考库存:4213
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 53 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥7.91
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
参考库存:5651
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 45Vcbo 45Vceo 7.0Vebo 340mW
1:¥15.368
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
参考库存:5780
晶体管
MOSFET 60V N CH MOSFET
1:¥6.7574
10:¥5.6839
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
2,500:¥2.6442
参考库存:31273
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