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晶体管
DMP3099L-7参考图片

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DMP3099L-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch ENH FET -30V 65mOhm -20V -3.8A
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1
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2.5312
10
¥1.6724
16.724
100
¥0.71416
71.416
1,000
¥0.5537
553.7
3,000
¥0.41471
1244.13
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.08 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP3099
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
35 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847BM,315
Nexperia
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20,000:查看
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2N3584
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1:¥92.208
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