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晶体管
ZXTN25012EFHTA参考图片

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ZXTN25012EFHTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 12V HIGH GAIN
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1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8081
38.081
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.9662
1966.2
3,000
¥1.9662
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
260 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN250
直流电流增益 hFE 最大值
500 at 10 mA, 2 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
500
Pd-功率耗散
1.25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMZB200UNEYL
Nexperia
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1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
10,000:¥0.51528
20,000:查看
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SIA485DJ-T1-GE3
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1:¥4.6104
10:¥3.4917
100:¥2.5877
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3,000:¥1.5029
6,000:查看
参考库存:38369
SQR40N10-25_GE3
Vishay / Siliconix
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1:¥18.5998
10:¥15.4471
100:¥11.9893
500:¥10.5316
2,000:¥8.1473
4,000:查看
参考库存:4041
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1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6613
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参考库存:2820
FF900R12IP4DV
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥4,760.464
参考库存:2345
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