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晶体管
DMP21D0UFD-7参考图片

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DMP21D0UFD-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3 T&R 3K
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1
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3.4578
10
¥2.4521
24.521
100
¥1.13
113
1,000
¥0.86784
867.84
3,000
¥0.73789
2213.67
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1212-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.14 A
Rds On-漏源导通电阻
495 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
930 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP21
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
18.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31.7 ns
典型接通延迟时间
7.1 ns
单位重量
1 mg
商品其它信息
优势价格，DMP21D0UFD-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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