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晶体管
DXT651-13参考图片

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DXT651-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR NPN
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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
2,500
¥1.3334
3333.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DXT651
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,DXT651-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH
1:¥27.8206
10:¥23.6622
100:¥20.5208
250:¥19.436
1,000:¥14.7578
2,000:查看
参考库存:4380
晶体管
IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Generic Ind App
1:¥105.9601
10:¥97.4286
25:¥93.3606
100:¥82.2188
参考库存:3461
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Saturation
1:¥7.684
10:¥6.5879
100:¥5.0511
500:¥4.4748
1,000:¥3.5256
2,500:¥3.5256
参考库存:11514
晶体管
MOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm
1:¥7.91
10:¥6.7574
100:¥5.1867
500:¥4.5878
1,500:¥3.2092
9,000:查看
参考库存:14549
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in IPAK package
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8478
500:¥6.0455
1,000:¥4.7686
参考库存:6156
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