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晶体管
FS50R12W2T4_B11参考图片

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FS50R12W2T4_B11

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库存:4,409(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥401.0257
401.0257
5
¥392.0422
1960.211
10
¥376.6742
3766.742
25
¥364.6058
9115.145
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
83 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
335 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
零件号别名
FS50R12W2T4B11BOMA1 SP000546148
单位重量
39 g
商品其它信息
优势价格,FS50R12W2T4_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK 2
1:¥5,202.9155
5:¥5,119.7701
参考库存:3530
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2Ohms
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:9489
晶体管
MOSFET N-Ch, 30V-0.038ohms 17A
1:¥6.9156
10:¥5.876
100:¥4.5087
500:¥3.9889
参考库存:6404
晶体管
MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
参考库存:17985
晶体管
MOSFET 40V 65A N-Chnl Power Trench MOSFET
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.6049
500:¥6.78
1,000:¥5.3562
3,000:¥4.746
参考库存:5997
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