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晶体管
DXT3904-13参考图片

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DXT3904-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000mW 40Vceo
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
300 mV
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DXT3904
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.48 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格，DXT3904-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI5402DC-T2
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V
暂无价格
参考库存:45120
RJK5020DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥63.4721
10:¥57.0876
25:¥52.0252
50:¥48.251
参考库存:45123
RJH60M3DPP-M0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥27.12
10:¥24.2046
25:¥21.8203
50:¥20.8259
参考库存:45126
MMBT2907ALT1HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
1:¥1.7628
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:45129
TSM70N750CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 6A, 750mOhm
1:¥13.0628
10:¥11.6051
100:¥9.1417
500:¥7.0964
2,500:¥5.0737
5,000:查看
参考库存:45132
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