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晶体管
MT3S111(TE85L,F)参考图片

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MT3S111(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 700mW
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数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.2149
42.149
100
¥2.7233
272.33
1,000
¥2.1809
2180.9
3,000
¥1.8419
5525.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MT3S111
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
11.5 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
12 mg
商品其它信息
优势价格，MT3S111(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9K32-100EX
Nexperia
晶体管
MOSFET Dual N-channel 100 V
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.7687
500:¥5.9777
1,000:¥4.7234
1,500:¥4.7234
参考库存:2907
IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥6.0681
1,000:¥4.7912
2,500:¥4.7912
参考库存:2912
RSH070P05TB1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Pch -45V -7A MOSFET
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.2264
500:¥7.1642
2,500:¥5.5257
5,000:查看
参考库存:4806
FGA20S125P-SN00336
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 1250V 20A Shorted Anode IGBT
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:2927
DMN2112SN-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V 1.2A
1:¥3.6838
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:6930
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