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晶体管
STGW40H120F2参考图片

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STGW40H120F2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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库存:3,383(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥74.919
74.919
10
¥67.6983
676.983
25
¥64.5456
1613.64
100
¥56.0141
5601.41
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
468 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40H120F2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW40H120F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vds 20Vgs 2.5W
5,000:¥1.6724
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
50,000:¥1.5142
参考库存:19936
晶体管
JFET Gen Purp JFET Engineering Hold
1:¥31.4253
10:¥28.0466
100:¥25.5832
250:¥23.052
参考库存:5109
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 80V
20,000:¥0.59212
40,000:¥0.53788
参考库存:31267
晶体管
MOSFET NCH 80V 175A 2.9MOHM
3,000:¥12.2944
参考库存:25943
晶体管
MOSFET Automotive MOSFET P 38A 150nC D2Pak
3,000:¥13.221
5,000:¥12.6786
参考库存:31272
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