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晶体管
IRGP4660D-EPBF参考图片

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IRGP4660D-EPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 60A 330W 140nC
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库存:3,230(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥72.998
72.998
10
¥66.0033
660.033
25
¥62.9297
1573.2425
100
¥54.6355
5463.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AD-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
330 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001548232
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP4660D-EPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V P-Channel QFET
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:4117
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥8.2942
10:¥7.0738
100:¥5.4353
500:¥4.7912
800:¥3.7855
参考库存:7822
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥91.3605
10:¥83.0663
25:¥76.84
参考库存:3512
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 20W NPN
1:¥4.6104
10:¥3.7629
100:¥2.2939
1,000:¥1.7741
参考库存:6391
晶体管
IGBT 晶体管 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
1:¥47.7199
10:¥40.567
100:¥35.1204
250:¥33.3463
500:¥29.8885
参考库存:3950
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