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晶体管
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VP0808L-G

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数量单价合计
1
¥11.2209
11.2209
10
¥11.1418
111.418
25
¥9.2999
232.4975
100
¥8.4524
845.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
280 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
200 mS
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,VP0808L-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
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1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
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双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
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10:¥47.3357
25:¥45.1774
100:¥39.1884
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晶体管
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1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0792
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:35826
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