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晶体管

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FP30R06W1E3

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数量单价合计
1
¥281.3926
281.3926
5
¥278.4659
1392.3295
10
¥259.561
2595.61
25
¥247.8881
6197.2025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
37 A
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FP30R06W1E3BOMA1 SP000221202
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FP30R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 3-phase inverter 14A 600V short-circuit
132:¥102.6605
264:¥97.6659
528:¥91.3605
1,056:¥83.7556
参考库存:41058
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥84.0607
250:¥76.614
500:¥71.6872
1,000:¥65.6982
参考库存:41061
晶体管
MOSFET Dual N-ch 30V 0.1A
暂无价格
参考库存:41064
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
100:¥526.58
参考库存:41067
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
100:¥488.3182
参考库存:41070
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