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晶体管
PBSS4160T,215参考图片

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PBSS4160T,215

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.6555
26.555
100
¥1.6159
161.59
1,000
¥1.2543
1254.3
3,000
¥1.06785
3203.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
220 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
250 at 1 mA, 5 V
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Nexperia
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250
Pd-功率耗散
270 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
PBSS4160T T/R
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，PBSS4160T,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4435FDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥4.0002
10:¥2.7233
100:¥1.8419
500:¥1.4803
2,500:¥1.01474
5,000:查看
参考库存:32538
SIHG80N60E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥91.7447
10:¥83.4505
25:¥77.1451
50:¥72.998
参考库存:2893
SUM60030E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 80V (D-S) TrenchFET
1:¥23.6622
10:¥19.5942
100:¥16.1364
250:¥15.594
800:¥15.594
参考库存:5721
DMPH6050SFGQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥6.3054
10:¥5.4353
100:¥4.1697
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
2,000:¥2.9154
参考库存:5061
PDTD123YQAZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTD123YQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.49946
5,000:¥0.39211
参考库存:12625
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