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晶体管
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DMN55D0UT-7

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库存:86,387(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.7289
17.289
100
¥0.72207
72.207
1,000
¥0.49155
491.55
3,000
¥0.3842
1152.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
160 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4 V
Qg-栅极电荷
295 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN55
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.8 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
180 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
2 mg
商品其它信息
优势价格,DMN55D0UT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transistor
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:89590
晶体管
IGBT 模块
1:¥16,300.7585
参考库存:1435
晶体管
IGBT 晶体管 Discrete 650 V TRENCHSTOP IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode
1:¥15.0629
10:¥12.8368
100:¥10.2152
500:¥8.9948
参考库存:1899
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,910.4684
5:¥1,864.4435
10:¥1,818.1926
25:¥1,792.6772
参考库存:1449
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
1:¥8.4524
10:¥7.2546
100:¥5.5709
500:¥4.9268
参考库存:3120
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