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晶体管
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MJB41CG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 65W NPN
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库存:2,828(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.831
9.831
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.4184
641.84
500
¥5.6839
2841.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
6 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJB41C
高度
4.83 mm (Max)
长度
10.29 mm (Max)
封装
Tube
宽度
9.65 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
65 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
2.306 g
商品其它信息
优势价格,MJB41CG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Ch Amplifier 39Vdg -30V 10mA
1:¥11.9102
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:3373
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥2.2261
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
参考库存:43508
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1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.3563
参考库存:6151
晶体管
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1:¥22.2045
10:¥20.1366
100:¥16.4415
500:¥13.1419
1,000:¥11.1418
3,000:¥10.4525
参考库存:4052
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:1317
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