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晶体管
IPB015N04NGATMA1参考图片

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IPB015N04NGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:5,904(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.8885
29.8885
10
¥25.3572
253.572
100
¥21.9785
2197.85
250
¥20.905
5226.25
1,000
¥15.7522
15752.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
250 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
120 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
G IPB015N04N IPB15N4NGXT SP000391522
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB015N04NGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
1:¥157.9062
25:¥136.5492
100:¥118.1076
250:¥109.8812
参考库存:4404
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:5371
晶体管
MOSFET 40V 120A 375W AEC-Q101 Qualified
1:¥24.3628
10:¥20.2044
100:¥16.5997
250:¥16.0573
800:¥12.1362
2,400:查看
参考库存:5149
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.43053
参考库存:27838
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 45Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1W
1:¥14.7578
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
参考库存:6853
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