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晶体管
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FZT869TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Ct Low Sat
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数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥6.0229
60.229
100
¥4.633
463.3
500
¥4.0906
2045.3
1,000
¥3.2318
3231.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
最大直流电集电极电流
7 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT869
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 at 20 A, 1 V
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,FZT869TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET
1:¥22.2836
10:¥20.0575
100:¥16.3624
250:¥15.368
参考库存:2794
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9664
500:¥5.2658
2,500:¥3.6838
10,000:查看
参考库存:4878
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:5074
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Super E-Line
1:¥5.8421
10:¥4.9155
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
参考库存:3355
晶体管
MOSFET TAPE-7 MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.6274
100:¥4.3279
500:¥3.8194
1,000:¥3.0171
参考库存:3059
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