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晶体管
IGW50N65H5FKSA1参考图片

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IGW50N65H5FKSA1

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库存:5,031(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.7412
5435.3
500
¥19.5151
9757.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N65H5 SP001001744
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW50N65H5FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T8 60V LOW COSS
1:¥4.7686
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.0453
1,500:¥2.0453
参考库存:16119
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
1:¥8.4524
10:¥7.2546
100:¥5.5709
500:¥4.9268
2,500:¥3.4465
10,000:查看
参考库存:16122
晶体管
MOSFET 40V 340A 1.75 mOhm Automotive MOSFET
1:¥40.7252
10:¥34.6571
100:¥30.0467
250:¥28.5099
800:¥21.5943
2,400:查看
参考库存:2725
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCM56DS SC-74
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
参考库存:16127
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Mid-Perf Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:4680
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