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晶体管
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IPI530N15N3 G

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数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.91
791
500
¥7.0512
3525.6
1,000
¥5.5709
5570.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
44 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPI530N15N3GXKSA1 SP000807642
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，IPI530N15N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT30M85SVFRG
Microsemi
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1:¥129.5545
5:¥124.5599
10:¥119.8704
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参考库存:18687
NVMFD5875NLWFT1G
ON Semiconductor
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1:¥8.2942
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
1,500:¥3.3787
9,000:查看
参考库存:18690
BFS17NQTA
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参考库存:18693
SQJ942EP-T1_GE3
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1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥4.8816
500:¥4.2036
1,000:¥3.3109
3,000:¥3.1527
参考库存:18696
BS870Q-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
1:¥2.2261
10:¥1.5142
100:¥0.63732
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.33787
参考库存:7392
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