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晶体管
IPW65R150CFDFKSA1参考图片

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IPW65R150CFDFKSA1

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库存:4,961(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.5778
30.5778
10
¥25.9674
259.674
100
¥22.5096
2250.96
250
¥21.357
5339.25
500
¥19.21
9605
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
22.4 A
Rds On-漏源导通电阻
135 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
195.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.6 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52.8 ns
典型接通延迟时间
12.4 ns
零件号别名
IPW65R150CFD IPW65R15CFDXK SP000907038
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW65R150CFDFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2659
800:¥5.7404
参考库存:5038
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥20.5208
10:¥18.2834
100:¥16.6788
250:¥15.0629
参考库存:3880
晶体管
JFET 50mA, -40V P-Channel
1:¥17.3681
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.831
参考库存:4089
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-7
1:¥1.7628
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
参考库存:8610
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:4435
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