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晶体管
SIHF12N60E-E3参考图片

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SIHF12N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存：4,995(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.6734
21.6734
10
¥17.9783
179.783
100
¥13.9894
1398.94
500
¥12.2153
6107.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHF12N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STH240N75F3-6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 75V 210A STripFET III
1:¥47.9459
10:¥40.8043
100:¥35.3464
250:¥33.5045
1,000:¥25.3572
2,000:查看
参考库存:4646
JANS2N2904AL
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50:¥568.7742
100:¥556.864
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Microsemi
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100:¥209.9992
250:¥192.7102
500:¥183.4216
参考库存:38616
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Microsemi
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1:¥194.3261
5:¥185.6477
10:¥179.8056
25:¥165.206
参考库存:3795
MV2N4856
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JFET JFET
100:¥500.2284
参考库存:38621
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