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晶体管
SUP53P06-20-E3参考图片

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SUP53P06-20-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
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数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.5207
185.207
100
¥15.2889
1528.89
250
¥14.8256
3706.4
500
¥13.2888
6644.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
53 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
115 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SUP
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SUP53P06-20-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RM1505S8-T
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2,500:¥3.7855
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100:¥7.91
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2,500:¥4.9155
10,000:查看
参考库存:40728
JANTX2N3500/TR
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥112.5706
250:¥102.6605
500:¥95.9709
1,000:¥88.0609
参考库存:40731
JAN2N6678
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,146.5319
参考库存:40734
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