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晶体管
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ZVN4306A

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数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.5371
753.71
500
¥6.667
3333.5
1,000
¥5.2545
5254.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.1 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
850 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZVN4306
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
700 mS
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
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