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晶体管
IPB034N03L G参考图片

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IPB034N03L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.0512
705.12
500
¥6.2263
3113.15
1,000
¥4.9155
4915.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
9.2 ns
零件号别名
IPB034N03LGATMA1 IPB34N3LGXT SP000304126
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB034N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCR 183S H6433
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100:¥4.5426
500:¥3.8985
5,000:¥2.7346
10,000:查看
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10,000:¥4.7008
参考库存:29948
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250:¥91.8238
参考库存:29954
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