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晶体管
DMN2015UFDE-7参考图片

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DMN2015UFDE-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.1301
31.301
100
¥1.9097
190.97
1,000
¥1.4803
1480.3
3,000
¥1.2656
3796.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-E-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
10.5 A
Rds On-漏源导通电阻
9.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
45.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
660 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2015
商标
Diodes Incorporated
下降时间
10.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43.6 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns
单位重量
6.750 mg
商品其它信息
优势价格，DMN2015UFDE-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLR120
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR120PBF
1:¥24.3628
10:¥20.2044
100:¥16.5997
250:¥16.1364
参考库存:43033
AUIRFR1018E
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.4525
500:¥9.1417
参考库存:43036
RCX050N25
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET POWER MOSFET SERIES
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8591
参考库存:43039
QS8M11TCR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET N/PCH 30V 3.5A/3A 8PIN
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.0397
1,000:¥2.4408
3,000:¥2.0566
参考库存:43042
TSM126CX RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V 30mA N-Channel Depletion Mode
1:¥4.5313
10:¥3.616
100:¥2.4521
500:¥1.6837
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:15192
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