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晶体管
SIHF7N60E-E3参考图片

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SIHF7N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥20.905
20.905
10
¥18.9049
189.049
100
¥15.2889
1528.89
500
¥11.9893
5994.65
1,000
¥10.0683
10068.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SIHF7N60E
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHF7N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥2.8476
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1,000:¥0.86106
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1:¥92.208
10:¥91.2814
25:¥84.4449
100:¥77.5293
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