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晶体管
IPI072N10N3 G参考图片

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IPI072N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
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库存：4,123(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.2099
17.2099
10
¥14.6787
146.787
100
¥11.752
1175.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
37 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPI072N10N3GXKSA1 IPI72N1N3GXK SP000680674
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格，IPI072N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD640N06L G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 18A DPAK-2
1:¥5.0737
10:¥4.2262
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
2,500:¥1.8419
参考库存:42842
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.5313
10:¥3.7629
100:¥2.2939
1,000:¥1.7741
参考库存:1988
IRGP4640DPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC
1:¥46.4882
10:¥39.5726
100:¥34.2729
250:¥32.4988
参考库存:2101
QSL12TR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 30V 1A 5PIN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:3654
TSM650P03CX RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 30V P channel Power Mosfet
1:¥4.3053
10:¥2.9945
100:¥1.9662
500:¥1.1639
3,000:¥0.78422
9,000:查看
参考库存:9738
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