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晶体管
2DB1132Q-13参考图片

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2DB1132Q-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -32Vceo
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库存:5,415(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 32 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 125 mV
最大直流电集电极电流
- 1 A
增益带宽产品fT
190 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DB11
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.48 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,2DB1132Q-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥8.8366
10:¥7.571
100:¥5.8082
500:¥5.1415
1,000:¥4.0567
5,000:¥4.0567
参考库存:8228
晶体管
MOSFET 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.5995
10:¥10.4525
100:¥8.1473
500:¥7.1303
1,000:¥5.9099
3,000:¥5.5031
参考库存:3294
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 450A
1:¥1,805.1976
5:¥1,761.783
10:¥1,718.0633
25:¥1,693.9378
参考库存:3282
晶体管
MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode
1:¥3.2996
10:¥2.7572
100:¥1.6837
1,000:¥1.2995
3,000:¥1.10627
参考库存:15254
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
1:¥56.7825
10:¥51.0986
50:¥46.5673
100:¥42.036
250:¥38.5782
参考库存:3281
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