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晶体管
IRFB7440PBF参考图片

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IRFB7440PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 208W
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库存:4,540(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.91
791
500
¥7.0286
3514.3
1,000
¥5.5483
5548.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
135 nC
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
产品
HEXFET Power MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001566700
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB7440PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOT-23 MOSFET
12,000:¥0.41471
24,000:¥0.4068
参考库存:40216
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥110.6496
250:¥100.8864
500:¥94.4341
1,000:¥86.6032
参考库存:40219
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥325.3383
250:¥297.3708
参考库存:40222
晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,347.5411
25:¥2,314.6468
参考库存:40225
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥730.9066
参考库存:40228
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