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晶体管
IGD06N60TATMA1参考图片

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IGD06N60TATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diod
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数量单价合计
1
¥8.3733
8.3733
10
¥7.1981
71.981
100
¥5.537
553.7
500
¥4.8816
2440.8
2,500
¥3.4239
8559.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGD06N60T IGD6N6TXT SP000960698
单位重量
316.800 mg
商品其它信息
优势价格,IGD06N60TATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.2317
10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
参考库存:25498
晶体管
MOSFET 2.0x2.0mm PMCP Power MOSFET
1:¥8.4524
10:¥6.7122
100:¥4.5652
500:¥4.1923
7,000:¥2.9832
21,000:查看
参考库存:25501
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.91
800:¥6.4975
参考库存:25504
晶体管
JFET N-Channel 50mA
1:¥93.4397
10:¥76.614
100:¥63.5512
500:¥57.9351
参考库存:5028
晶体管
MOSFET QUAD CHANNEL VOLTAGE
1:¥4.6104
10:¥3.7968
100:¥2.4521
1,000:¥1.9549
2,500:¥1.6498
参考库存:84896
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