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晶体管
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IGD06N60TATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diod
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数量单价合计
1
¥8.3733
8.3733
10
¥7.1981
71.981
100
¥5.537
553.7
500
¥4.8816
2440.8
2,500
¥3.4239
8559.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGD06N60T IGD6N6TXT SP000960698
单位重量
316.800 mg
商品其它信息
优势价格,IGD06N60TATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2433
2,500:¥5.0624
10,000:查看
参考库存:19818
晶体管
MOSFET Auto Q101 300V SGL N-CH HEXFET
1:¥45.4147
10:¥38.646
100:¥33.5045
250:¥31.7304
参考库存:3027
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP NPN 100mA -50V
1:¥3.3787
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:5199
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
1:¥1,102.3489
5:¥1,080.6755
10:¥1,030.2662
25:¥1,008.6832
参考库存:2641
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC75 BR XSTR PNP 50V
1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.43844
参考库存:4012
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