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晶体管
BSL205N H6327参考图片

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BSL205N H6327

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库存:6,416(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4691
34.691
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6385
1638.5
3,000
¥1.4012
4203.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms, 39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC, 3.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
系列
BSL205
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8.6 S, 8.6 S
下降时间
2.4 ns, 2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.9 ns, 2.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns, 11 ns
典型接通延迟时间
5.8 ns, 5.8 ns
零件号别名
BSL205NH6327XTSA1 SP001100646
商品其它信息
优势价格,BSL205N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
1:¥14.9838
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.9157
1,000:¥7.3789
参考库存:5689
晶体管
MOSFET PT8P Z -30V/-25V ZENER ER
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
3,000:¥7.684
6,000:查看
参考库存:5715
晶体管
MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
3,000:¥6.7461
6,000:查看
参考库存:6816
晶体管
MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level
1:¥7.6049
10:¥6.441
100:¥4.9381
500:¥4.3731
2,500:¥3.0623
10,000:查看
参考库存:4787
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9212
500:¥5.2319
5,000:¥3.6612
10,000:查看
参考库存:8537
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