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晶体管
DMN3010LSS-13参考图片

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DMN3010LSS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A
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库存:5,851(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
2,500
¥2.2148
5537
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5.3 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN3010
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.1 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
5.6 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3010LSS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Channel JFET 50mA
73:¥97.4286
100:¥89.5977
250:¥81.6764
500:¥76.3767
参考库存:41198
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥18.9049
10:¥17.063
50:¥15.2889
100:¥13.7521
参考库存:41201
晶体管
IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT
1:¥32.883
10:¥27.8884
100:¥24.2046
250:¥22.9729
参考库存:41204
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.0736
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
2,000:¥1.05316
参考库存:41207
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET
1:¥836.0192
5:¥820.6512
10:¥783.6889
25:¥757.5633
参考库存:41210
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