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晶体管
BSS139 H6906参考图片

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BSS139 H6906

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库存:9,030(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0341
40.341
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0792
2079.2
3,000
¥2.0792
6237.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
100 mA
Rds On-漏源导通电阻
7.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
60 mS
下降时间
182 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
5.8 ns
零件号别名
BSS139H6906XTSA1 SP000702612
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS139 H6906的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:23293
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PBRT
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:23296
晶体管
MOSFET NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL N-CHAN
1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
5,000:¥2.9606
10,000:查看
参考库存:23299
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V
1:¥1,080.5964
5:¥1,059.6236
10:¥1,024.6614
25:¥981.2468
参考库存:23302
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.1526
10:¥1.01474
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
10,000:¥0.16159
20,000:查看
参考库存:23305
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