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晶体管
IPD65R950CFD参考图片

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IPD65R950CFD

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数量单价合计
1
¥8.5315
8.5315
10
¥7.3337
73.337
100
¥5.6274
562.74
500
¥4.972
2486
1,000
¥3.9211
3921.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
855 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
36.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD65R950
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPD65R950CFDBTMA1 SP000953124
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD65R950CFD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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2,400:查看
参考库存:4134
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