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晶体管
ZXT12N50DXTA参考图片

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ZXT12N50DXTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 50V NPN
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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
1,000
¥5.1867
5186.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MSOP-8
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7.5 V
集电极—射极饱和电压
135 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
132 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXT12
直流电流增益 hFE 最大值
250 at 10 mA, 2 V
高度
0.95 mm
长度
3.1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.1 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 150 at 3 A, 2 V, 50 at 5 A, 2 V
Pd-功率耗散
870 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
140 mg
商品其它信息
优势价格，ZXT12N50DXTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP60R280P6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220-3
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:2759
APT20M38SVRG/TR
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥153.1376
5:¥147.1486
10:¥141.6116
25:¥130.1647
参考库存:22874
TK6A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
1:¥11.6051
10:¥9.2999
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:22877
TIP125
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 PNP Power Darlington
1:¥4.7686
10:¥4.0115
100:¥2.5877
1,000:¥2.0792
参考库存:2575
BUK9Y8R7-60E,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 8.7 mo FET
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4861
500:¥3.9663
1,000:¥3.1301
1,500:¥3.1301
参考库存:3269
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