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晶体管
FS100R06KE3参考图片

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FS100R06KE3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 模块 ECONO PACK 3 WITH FAST TRENCH
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库存:2,972(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥881.965
881.965
5
¥864.676
4323.38
10
¥824.335
8243.35
25
¥807.046
20176.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
335 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
FS100R06KE3BOSA1 SP000091926
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格,FS100R06KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.289
250:¥16.4415
参考库存:4602
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 65A
1:¥294.3763
5:¥287.8449
10:¥274.703
25:¥263.177
参考库存:4619
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
3,000:¥5.8421
参考库存:8105
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥4.9155
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.0566
参考库存:6883
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
2,000:¥0.30736
参考库存:8655
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