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晶体管
FS100R06KE3参考图片

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FS100R06KE3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 模块 ECONO PACK 3 WITH FAST TRENCH
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库存:2,972(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥881.965
881.965
5
¥864.676
4323.38
10
¥824.335
8243.35
25
¥807.046
20176.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
335 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
FS100R06KE3BOSA1 SP000091926
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格,FS100R06KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥4.6104
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
2,000:¥1.695
参考库存:4127
晶体管
MOSFET NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
3,000:¥3.277
9,000:查看
参考库存:17329
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
10,000:¥0.34578
20,000:查看
参考库存:17332
晶体管
MOSFET T6 40V HEFET
1:¥22.8938
10:¥19.5151
100:¥16.9048
250:¥16.0573
1,500:¥11.526
4,500:查看
参考库存:17335
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
1:¥86.219
10:¥78.3768
25:¥72.4556
50:¥68.5458
参考库存:17338
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