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晶体管
SPP11N80C3参考图片

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SPP11N80C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
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库存:4,779(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.9728
20.9728
10
¥17.8314
178.314
100
¥14.2154
1421.54
500
¥12.4526
6226.3
1,000
¥10.2943
10294.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP000683158 SPP11N80C3XKSA1 SPP11N8C3XK
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SPP11N80C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:8228
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R 2.5K
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
2,500:¥1.2543
参考库存:8144
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 55A
1:¥512.8279
5:¥503.3811
10:¥490.3183
25:¥480.7133
参考库存:5242
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:24632
晶体管
MOSFET Pch Power MOS FET -
1:¥4.068
10:¥2.9832
100:¥1.8871
500:¥1.5255
10,000:¥1.1978
参考库存:25849
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