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晶体管
SIHG25N50E-GE3参考图片

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SIHG25N50E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存：2,984(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.8152
32.8152
10
¥29.2783
292.783
100
¥23.9786
2397.86
250
¥22.0576
5514.4
500
¥19.436
9718
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格，SIHG25N50E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ULQ2803A
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 Eight NPN Array
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
参考库存:4262
STB18NF25
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.3735
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
参考库存:3563
IRFB61N15DPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC
1:¥19.1309
10:¥16.2155
100:¥12.9837
500:¥11.3678
参考库存:3564
FQA9N90C-F109
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 900V N-Channel QFET
1:¥27.12
10:¥23.052
100:¥19.9784
250:¥18.984
500:¥16.9839
参考库存:3240
MJD112T4
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥5.4579
10:¥4.5087
100:¥2.9154
1,000:¥2.3278
2,500:¥1.9662
参考库存:6912
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